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2023-06-29 发布于四川
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第三代半导体的制造方法.pdf

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本发明涉及半导体制造的技术领域，公开了一种第三代半导体的制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一衬底；于所述衬底上外延淀积一缓冲层；于所述缓冲层上外延淀积一电子特性层；于所述电子特性层上形成一保护层；于所述保护层形成过孔穿透至所述电子特性层。将所需要的电子特性层通过外延淀积的方式预先设置到衬底上面，再根据所需要的功能，将过孔穿透至对应的电子特性层中的位置，实现所需的功能，免去了传统离子注入加高温扩散的方式产生的不同膜层之间的离子互相渗透和离子间的伤害，进而稳定组件特性，改善半导体器件的性能可靠性，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690136 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110776052.8 H01L 29/778 (2006.01)

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