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本公开提供了具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型层、发光层、p型层、电流阻挡层与氧化铟锡层，电流阻挡层上具有连通至p型层的电极孔、沿电极孔的周向均匀分布的连通至p型层的电极槽，电极槽与电极孔间隔，电流阻挡层上的氧化铟锡层有避让孔。p电极位于电流阻挡层上且p电极覆盖避让孔、电极孔与电极槽，p电极的电流密度可以分散到电极孔与均匀分布的电极槽内，较为均匀且较为分散地进入p型层内以使发光二极管芯片正常发光。电流的集中度降低而分散度提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690352 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110743760.1
(22)申请日 2021.07.01
(71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司
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