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本发明公开了一种石英件保护层，所述保护层位于石英件表面，所述保护层的热膨胀系数大小介于石英与镀膜层热膨胀系数之间。本发明还公开了一种石英件保护层的制备方法，所述方法为LPCVD方法沉积保护层或/和喷涂烧结的方法沉积保护层；或者所述方法为采用LPCVD方法直接生长SiO2，再逐渐减少供氧物质的含量比例，提高镀膜层物质的比例，直至最后全是镀膜层物质。本发明中，石英件保护层(即过渡层)能够隔离镀膜层与石英件的直接接触；由于过渡层的存在，相互之间的热应力都能降低，极大的延长了石英件的寿命，降低了维护成本
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113684468 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110797409.0 C23C 16/34 (2006.01)
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