用于单芯片micro-LED全彩显示的多量子阱外延生长方法.pdfVIP

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2023-06-29 发布于四川
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用于单芯片micro-LED全彩显示的多量子阱外延生长方法.pdf

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本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种用于单芯片micro‑LED全彩显示的多量子阱外延生长方法。本发明方法是在同一晶圆上生长包含多发射波长的多量子阱结构；再按照显示要求制备对应尺寸的micro‑LED芯片阵列；并通过PWM方式改变驱动电流占空比来调制单芯片的显示亮度，从而实现单芯片多波长亮度均一的micro‑LED显示。本发明在同一外延衬底上实现单芯片micro‑LED器件发射不同颜色的波长，并通过该外延材料直接制备micro‑LED阵列，通过PWM调制方式完成均一亮度不同颜色的单芯片发

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690270 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110941505.8 (22)申请日 2021.08.17 (71)申请人复旦大学地址 20