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2023-06-29 发布于四川
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本发明涉及半导体制造的技术领域，公开了一种第三代半导体，所述第三代化合物半导体包括多个区块，每个所述区块包括衬底；设置于所述衬底上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的电子特性层，所述电子特性层为多层结构；设置于所述电子特性层上的保护层；从所述保护层外表面穿透至所述电子特性层的多个过孔。将所需要的电子特性层预先设置于衬底上，根据需要设置过孔，免去了传统离子注入加高温扩散的方式产生的不同膜层之间的离子互相渗透和离子间的伤害，进而稳定组件特性，改善半导体器件的性能可靠性，避免讯号失真的影响，达到更稳定的工率

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690295 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110776044.3 H01L 23/31 (2006.01)

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