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2023-06-30 发布于四川
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本发明公开一种具有齐纳二极管的功率元件，其包含一基材结构、一绝缘层、一介电层、一晶体管、及多个齐纳二极管。晶体管位于基材结构的晶体管形成区域中。多个齐纳二极管皆位于基材结构的电路元件形成区域中且彼此串联。每个齐纳二极管包含一齐纳二极管掺杂结构及一齐纳二极管金属结构。齐纳二极管掺杂结构形成于绝缘层上、且被介电层覆盖。齐纳二极管掺杂结构包含彼此相接的一P型掺杂区及一N型掺杂区。齐纳二极管金属结构形成于介电层上、且部分地贯穿介电层，以电性连接于齐纳二极管掺杂结构的P型掺杂区及N型掺杂区。本发明能借由调

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707653 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202010437124.1 (22)申请日 2020.05.21 (71)申请人全宇昕科技股份有限公司

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