基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究.docxVIP

下载本文档

4
0
约5.04千字
约 12页
2023-07-04 发布于北京
举报
版权申诉

基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究摘要：本文通过对GaN材料的物理特性和器件结构的分析，提出了一种基于表面势的GaN HEMT大信号模型。该模型包含初始电势分布、载流子密度分布、电场分布、漏电流等多个物理参数，完整地描述了GaN HEMT的电性能。通过数值模拟，验证了本文提出的模型具有较高的精度和实验结果相符。同时，该模型可应用于GaN HEMT器件的设计优化以及工艺参数的调整。关键词：表面势；GaN HEMT；大信号模型；载流子密度；漏电流一、引言随着无线通信、卫星导航、航空航天等领域的快速发展，GaN HEMT作为一种具有