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2023-06-30 发布于四川
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用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备.pdf

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本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113697766 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110545660.8 (22)申请日 2021.05.19 (30)优先权数据

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