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本发明公开了一种稀土近红外荧光粉及其制备方法和应用，属于发光材料技术领域。本发明的稀土近红外荧光粉化学式为：Cs2AgIn1‑x‑ySbxYbyCl6，其中，式中x，y分别为掺杂离子Sb3+，Yb3+相对基质离子In3+占的摩尔百分含量，取值范围：0.005≤x≤1.00，0.05≤y≤1.00，以无铅双钙钛矿Cs2AgInCl6作为基质材料，发光中心分别为三价Sb3+和Yb3+离子，在250～450nm近紫外光的激发下，三价Sb3+离子在该基质中产生峰位位于670nm橘红光，Yb3+离子产生峰
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113684021 B
(45)授权公告日 2023.01.03
(21)申请号 202110983317.1 H01L 31/055 (2014
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