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在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵列与第一外围电路之间的多晶硅层、以及与第一晶体管接触的第一半导体层。多晶硅层与NAND存储器串阵列的源极接触。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的第二外围电路以及与第二晶体管接触的第二半导体层，该第二外围电路包括第二晶体管。第二半导体层在键合界面与第二外围电路
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113711356 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202180002861.1 (51)Int.Cl.
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