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本发明公开一种半导体元件晶圆切割方法，包括以下步骤：步骤一：提供半导体晶圆，并在半导体晶圆的表面覆盖一层保护层；步骤二：将带有保护层的半导体晶圆放置在承载料盒上，通过激光切割，在半导体晶圆的表面切割处纵横交错切痕，将半导体进行分离为若干个晶粒单元，本发明通过在半导体晶圆的表面覆盖一层保护层，能够在激光对半导体晶圆进行保护，同时激光切割时产生的碎屑只能对保护层进行损害，并不会对半导体晶圆的表面造成损伤，并且切割完成后，通过研磨的方式对保护层进行去除并不会对晶粒的内部结构造成损害，通过此方式能够提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725159 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110886911.9
(22)申请日 2021.08.03
(71)申请人 安徽富信半导体科技有限公司
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