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用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

    一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。水平伸长的沟槽位于横向紧邻的存储器块之间。导体材料在所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将个别所述导电层级的导电材料直接电耦合在一起。将所述导体材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导体材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116367543 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202211662619.X H10B 41/35 (2023.01)

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