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一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构.pdf

    本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364800 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310083226.1 (22)申请日 2023.02.08 (71)申请人 南昌大学 地址 330031

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