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本发明公开了细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其技术方案要点是：在T1温度下烧结并保温5‑15min，在T2温度下烧结并保温18‑22h，所述T1温度为1540℃‑1560℃，所述T2温度为1450℃‑1470℃。本烧结工艺用普通加热设备进行加热，性能可达到与热压，微波，放电，真空等昂贵设备相一致的产品，投资小；常规的一步烧结法在烧结最后由于温度升高会导致晶界迁移过快引起晶粒的长大，而两部烧结法可以在设定的温度范围内(动力学窗口)抑制境界的迁移，增加晶界的扩散增加致密度；由于T2温度在烧结动力学窗口
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116354731 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202310323623.1
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 基迈克材料科技 （苏州）有限公司
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