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本发明公开一种半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法,涉及半导体加工技术领域。该控制方法包括:采集工艺腔室内的实际压力值;根据实际压力值和预设的目标压力值之间差值,确定用于控制排气阀门开度的第一阀门开度值;根据第一阀门开度值和当前门阀开度值确定第一阀门开度变化量;确定第一阀门开度变化量是否位于预设的与当前工艺阶段对应的阀门开度变化量的波动范围之内;在第一阀门开度变化量位于波动范围之内的情况下,根据第一阀门开度值调节阀门的开度。该控制方法能解决半导体热处理设备的工艺腔室内的压力波动大的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113699590 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202110998436.4 C30B 33/02 (2006.01)
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