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存储器器件以及形成存储器器件的方法.pdf

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    本发明涉及存储器器件以及形成存储器器件的方法。提供了一种存储器器件，包括：基底绝缘层；底部电极，其布置在基底绝缘层内；基本平面的开关层，其布置在基底绝缘层上方；以及基本平面的顶部电极，其布置在开关层上方的相对于底部电极横向偏移的位置。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725356 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202110571910.5 (22)申请日 2021.05.25 (30)优先权数据 16/882795

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