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本发明公开了一种分光薄膜真空磁控镀膜方法，属于真空镀膜领域。本发明的一种分光薄膜真空磁控镀膜方法，采用真空磁控溅射卷绕式镀膜机，以金属铌靶(NbOx)、硅靶(Si)作为溅射靶材，采用特定的溅射膜层叠层顺序和膜层厚度，能够生产0.2mm膜层厚度以下的分光薄膜，并且独特的膜层结构设计使生产的分光薄膜具有特殊的分光功能。本发明的一种分光薄膜真空磁控镀膜方法，工艺稳定性高、产品达标率高，能够实现较薄分光薄膜的规模化生产。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113718213 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110464164.X
(22)申请日 2021.04.26
(71)申请人 深圳
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