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一种栅极接地NMOS型ESD器件及其实现方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种栅极接地NMOS型ESD器件及其实现方法.pdf

    本发明公开了一种栅极接地NMOS型ESD器件及其实现方法，所述方法将现有栅极接地NMOS型ESD器件下方的P型防静电植入层(28)去掉，并在其第二高浓度N型掺杂(26)的外侧加入浮接的第二高浓度P型掺杂(22)以降低触发电压，由源极、栅极以及第一高浓度P型掺杂(20)接在一起构成阴极，在第二高浓度N型掺杂(26)上方的金属硅化物(30)引出电极构成阳极，从而得到所述栅极接地NMOS型ESD器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725212 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111006789.8 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

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