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本发明涉及微结构应用技术领域，具体涉及一种硅基倾斜微腔片上芯片及其开关和传感应用方法。该片上芯片包括衬底、非线性膜层、硅膜层、硅微结构层。非线性膜层置于衬底上，硅膜层置于非线性膜层上，硅微结构层置于硅膜层上，硅微结构层包括周期排列的硅微结构，硅微结构中设有倾斜微腔。本发明在常见的硅膜层上构建硅微结构阵列、在硅微结构上引入倾斜微腔，实现了结构对称破缺特征，产生了超窄带的共振光谱和高品质的共振模式，获得了优异的透射光谱以及很强的局域光场耦合特性。该芯片在光开关和传感方面具有良好的应用前景。另外，本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114236684 A
(43)申请公布日 2022.03.25
(21)申请号 202111597302.8
(22)申请日 2021.12.24
(71)申请人 江西师范大学
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