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一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备.pdf

    本发明属于二氧化硅薄膜制备技术领域，尤其是一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备，针对存在的设备内温度、基板角度调节的问题，现提出以下方案，包括支架，所述支架用于支撑设备的一端；温度圈，所述温度圈用于支撑设备另一端；所述温度圈的一端设有前驱体输入组件，且温度圈的另一端设有真空度调节组件。本发明中利用激光发生器为狭缝式，通过反射呈激光带，由基板一侧移动覆盖，同时激光的发射角根据转动轴带动发射镜变化，同时的前驱体输入端，喷涂出雾化状的二氧化硅，在带状激光照射下依次基板表面覆膜，覆膜更加稳定紧密，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113737158 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202111041644.1 H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2

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