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本发明涉及电子气体提纯领域，尤其涉及一种去除三硅基氮中残余一氯硅烷的方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附剂干燥后，填充于精馏釜的填料塔中；（S.2）对精馏釜进行抽负处理后通入惰性气体，替换精馏釜中的空气；（S.3）将工业级三硅基氮导入精馏釜中，升温使得三硅基氮在回流过程中与杂质吸附剂接触；（S.4）从填料塔顶部收集馏分，冷却过滤后，即得高纯三硅基氮。本发明中三硅基氮的提纯方法较为简单，其中的吸附剂能够通过物理与化学两种不同的方法实现对于氯硅烷杂质的有效吸收，因此只需要将三硅基氮经过简单的精馏，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115254050 A
(43)申请公布日 2022.11.01
(21)申请号 202210777731.1 B01J 20/30 (2006.01)
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