原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种气相生长装置，属于半导体技术领域。气相生长装置包括反应腔体、旋转电机、震动缓冲器和转动连接于反应腔体内的支撑组件，旋转电机的定子连接于反应腔体的外部底壁，旋转电机的输出轴穿设于反应腔体和定子，且输出轴设于反应腔体内的一端与震动缓冲器固定连接，震动缓冲器上连接有随动器，随动器能够带动支撑组件转动，支撑组件用于支撑晶圆。本发明的气相生长装置，提高运行平稳性，解决运行过程中发生抖动、倾斜甚至飞盘等问题，提高了工艺效果，降低了成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115478263 A
(43)申请公布日 2022.12.16
(21)申请号 202211145287.8
(22)申请日 2022.09.20
(71)申请人 材料科学姑苏实验室
地址 2151
文档评论（0）