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光催化原理：
半导体光催化剂大多是 n 型半导体材料（当前以为TiO2 使用
最广泛）都具有区别于金属或绝缘物质的特别的能带结构,即在价带
和导带之间存半导体光催化剂大多是n型半导体材料（当前以为TiO2
使用最广泛）都具有区别于金属或绝缘物质的特别的能带结构 ,即在
价带和导带之间存在一个禁带。由于半导体的光吸收阈值与带隙具有
式K=1240/Eg的关系,因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都
在紫外区域。当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时 ,半
导体的价带电子发生带间跃迁,即从价带跃迁到导带,从而产生光生电
子(e-)和空穴(h
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