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一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法.pdf

    本发明涉及一种硅基GaNHEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaNHEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaNHEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaNHEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745123 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202010461418.8 (22)申请日 2020.05.27 (71)申请人 深港产学研基地（北京大学香港科

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