一种纳米花状硫化钴及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种纳米花状硫化钴及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种纳米花状硫化钴及其制备方法，属于电化学技术领域。本发明利用原位一步电沉积法制备硫化钴，杜绝了粘接剂和导电剂对纳米花状硫化钴比电容量的影响。本发明通过调节沉积圈数，减小了硫化钴的尺寸，并制备得到了具有多孔结构的纳米花状硫化钴。其中，硫化钴尺寸的减少可以缩短电解质离子的传输距离和减小离子扩散的路径，有利于离子的传输，从而提高循环稳定性；硫化钴的多孔结构以及独特的纳米花状结构利于电解质离子的界面穿梭，从而提高了比电容量。实施例结果表明，本发明的硫化钴在1Ag‑1电流密度下比容量为60

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115512975 A (43)申请公布日 2022.12.23 (21)申请号 202211135017.9 (22)申请日 2022.09.19 (71)申请人长春大学地址 130022 吉林