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静态随机存取存储元件.pdfVIP

静态随机存取存储元件.pdf

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    本发明公开一种静态随机存取存储元件。此静态随机存取存储元件是由存储单元中两个作为载入晶体管的P通道栅极、两个作为驱动晶体管的N通道栅极、以及两个作为存取晶体管的N通道栅极所组成。作为存取晶体管的N通道栅极附近会设置一第一虚置栅极，该两者间隔有一位线节点，其中该第一虚置栅极是经由一金属层电连接到一接地电压，以及一第二虚置栅邻近该第一虚置栅，其中该第二虚置栅与其中一该作为载入晶体管的P通道栅以及该作为驱动晶体管的N通道栅以该位线节点为中心对称。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764422 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110942757.2 H01L 27/092 (2006.01)

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