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本发明公开了一种以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料制备方法及其应用，通过简单的一步溶剂热合成法，将二硫化钼原位生长于钛网基底上，加强了二硫化钼与基底之间的界面结合，实现了二硫化钼与钛网之间的欧姆接触，避免了使用粘连剂而带来的界面接触电阻，大大提升了电子传递效率，同时，二硫化钼生长为超薄薄片结构，富含大量的边缘裂纹缺陷，有效地增加了反应的活性位点，且其薄片边缘的活性位点充分暴露，显著提升了氢析出反应（HER）的催化效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113755827 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110966047.3 C25B 11/061 (2021.01)
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