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本发明公开了一种氟化钇薄膜的制备方法,步骤1:将水合硝酸钇、氟化铵按照摩尔配比1:3.05‑1:3.75混合均匀;步骤2:将胶状物干燥得到胶态物质;步骤3:将胶态物质置于高温炉中;步骤4:胶态物质研磨得到粉末;步骤5:将粉末在惰性气体保护下得到纳米级粉末;步骤6:将纳米级粉末采取浸渍提拉法或旋转涂覆法制膜;步骤7:将湿膜烘干、冷得到薄膜;步骤8:将薄膜退火处理,随炉冷却后得到氟化钇薄膜。本发明氟化钇薄膜的制备方法与现有的技术相比,制备的氟化钇薄膜表面光滑,具有良好的超导特性,且薄膜制备成本低、工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113753938 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202010681953.4
(22)申请日 2020.07.15
(71)申请人 英迪那米(徐州)半导体科技有限公
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