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本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备,涉及半导体器件技术领域,以增大下部电极的表面积,从而增大电容器的存储容量,并提高半导体器件的数据存储性能。所述半导体器件包括基底和至少一个电容器。至少一个电容器形成在基底上。每个电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于下部电极和上部电极之间的介电层。介电层覆盖下部电极。至少一个下部电极各部分的径向截面积均相等。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用在电子设备中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782532 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202010523687.2
(22)申请日 2020.06.10
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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