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本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)筛分纯度≥99.98％的铬硅合金原料，得到铬硅合金粉末；(2)将步骤(1)所得铬硅合金粉末进行真空热压烧结处理，得到铬硅合金靶坯；(3)将步骤(2)所得铬硅合金靶坯进行机加工，得到铬硅合金溅射靶材；其中，步骤(2)所述真空热压烧结处理包括顺次进行的第一保温处理、第二保温处理与保温保压处理，且所述保温保压处理的加压过程分为至少2个加压阶段。本发明提供的制备方法保证了靶材的高密度，改善了微观结构均匀性和溅射性能，同时简化了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113770360 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111048524.4
(22)申请日 2021.09.08
(71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司
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