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本发明公开了一种解决SGT‑MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，包括如下步骤：生长外延层，淀积掩蔽层，淀积光刻胶，沟槽光刻，沟槽刻蚀，掩蔽层移除，场氧化层生长，屏蔽栅多晶硅填充，屏蔽栅多晶硅刻蚀，场氧化层沟槽光刻，场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层，场氧化层掩膜层光刻，场氧化层刻蚀，场氧化层掩膜层去除；生长栅氧化层，淀积栅多晶硅并刻蚀并形成MOSFET的栅极。本发明通过在深沟槽两头的场氧化层中形成垂直于深沟槽的另一沟槽，并在其中填充氮化硅，利用氮化硅阻隔场氧化层的横向刻蚀，从而有效解决场氧化层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782433 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110900637.6
(22)申请日 2021.08.06
(71)申请人 江苏格瑞宝电子有限公司
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