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热释光辐射剂量测量 学院:理工学院专业:核工程与核技术学号验人:赖滔合作者:麦宇华 一、 实验目的 1、了解热释光测量仪的工作原理，并掌握热释光测量仪的正确使用方法； 2、测量分析A O :C元件的发光曲线，了解发光曲线的意义； 2 3 3、了解热释光剂量计的温度稳定性； 4、测量A O :C元件的剂量响应曲线； 2 3 5、测量未知剂量的热释光曲线，确定其照射剂量。 二、 实验原理 1、热释光 物质收到电离辐射等作用后，将辐射能量储存于陷阱中。当加热时，陷阱中的能量便以 光的形式释放出来，这种现象称为热释发光。具有热释发光特性的物质称为热释光磷光体（简 称磷光体），如锰激活的硫酸钙[CaSO(Mn)]、镁钛激活的氟化锂[LiF(Mg、Ti)]、氧化铍[BeO] 4 等。 磷光体的发光机制可以用固体的能带理论解释。假设磷光体内只存在一种陷阱，并且忽 略电子的多次俘获，则热释光的强度I为： I=nSexp(- ) 这里，S为一常数，k是波尔兹曼常数，T是加热温度(K)，n是所在考虑时刻陷阱能级 ε 上的电子数。强度I与磷光体所吸收的辐射能量成正比，因此通常用光电倍增管测量热释光 的强度就可以探测辐射及确定辐射剂量。 2、发光强度曲线 热释光的强度与加热温度（或加热时间）的关系曲线叫做发光曲线。如图1所示。警惕 受热时，电子首先由较浅的陷阱中释放出来，当这些陷阱中储存的电子全部释放完时，光强 度减小，形成图中的第一个峰。随着加热温度的增高，较深的陷阱中的电子被释放，又形成 了图中其它的峰。发光曲线的形状与材料性质、加热速度、热处理工艺和射线种类等有关。 对于辐射剂量测量的热释光磷光体，要求发光曲线尽量简单，并且主峰温度要适中。 发光曲线下的面积叫做发光总额。同一种磷光体，若接受的照射量一定，则发光总额是 一个常数。因此，原则上可以用任何一个峰的积分强度确定剂量。但是低温峰一般不稳定， 有严重的衰退现象，必须在预热阶段予以消除。很高温度下的峰是红外辐射的贡献，不适宜 用作剂量测量。对LiF元件通常测量的是210°C下的第五个峰。另外，剂量也可以与峰的 高度相联系。所以测量发光强度一般有两种方法： （1） 峰高法：测量发光曲线中峰的高度。这一方法具有测速快、衰退影响小、本底荧光 和热辐射本底干扰小等优点。它的主要缺点是，因为峰的高度是加热速度的函数， 所以加热速度和加热过程的重复性对测量带来的影响比较大。 （2） 光和法：测量发光曲线下的面积，亦称面积法。这这一方法受升温速度和加热过程 重复性的影响小，可以采用较高的升温速度，并可采用测量发光曲线中一部分面积 的方法（窗户测量法）消除低温峰及噪声本底的影响。它的主要缺点是受“假荧光” 热释光本底及残余剂量干扰较大。所以在测量中必须选择合适的“测量”阶段和“退 火”阶段的温度。合理地选择各阶段持续时间，以保证磷光体各个部分的温度达到 平衡，以利于充分释放储存的辐射能量。 3、热释光探测器的剂量学特性 （1） 灵敏度：指单位照射量的热释光响应。它与元件热时光材料性质和含量、激活剂种 类、射线能量和入射方向、热处理条件等有关。一般原子序数较高的元件，灵敏度 提高。 -3 3 （2） 照射量相应：在照射量 10 仑-10 仑范围内，许多磷光体对辐射的响应是线性的。 当照射量更大时，常出现非线性现象。 （3） 能量相应：即热释光灵敏度与辐照能量的依赖关系。它与元件材料的原子序数、颗 粒度、射线种类有关。一般原子序数高的元件比原子序数低的元件能量响应差，因 此使用时需要外加过滤器进行能量补偿。LiF元件在能量大于30keV情况下，在25% 的精度内对能量的依赖性很小。 （4） 衰退：指受过辐照的磷光体，热释光会自行减弱。衰退的快慢与磷光体种类、环境 温度、光照等因素有关。如果测量LiF的主峰，在室温下可以保存几十天。 （5） 光效应：指磷光体的热释光在可见光、紫外光的作用下可产生衰退和假剂量两种效 应。它的强弱与磷光体的