具有多层级单元配置的非易失性存储器元件.pdfVIP

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2023-07-04 发布于四川
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具有多层级单元配置的非易失性存储器元件.pdf

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本发明涉及具有多层级单元配置的非易失性存储器元件，提供包括非易失性存储器元件的结构，以及制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第二非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第一位线耦合至第一非易失性存储器元件的第一电极，以及耦合至第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合至第一非易失性存储器元件的第二电极。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782671 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202110640589.1 (22)申请日 2021.06.09 (30)优先权数据 16/896,78