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本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782593 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202010516637.1 H01L 21/34 (2006.01
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