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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层结构，待刻蚀层结构包括待刻蚀层，位于待刻蚀层上的核心层和位于核心层的两侧的侧墙，侧墙的顶面为弧面；在侧墙的顶面上形成补充结构以完全覆盖弧面，补充结构的顶面为平整的平面。因补充结构和侧墙共同作为刻蚀掩膜时顶面为平整的平面而非弧面，避免了侧墙作为刻蚀掩膜时因侧墙顶面为弧面造成形成于待刻蚀层的图形的深浅不同，有利于在待刻蚀层上形成结构线深相同的图形，提高了图形转移的精确度和稳定性；且本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法适用于任何需要进行图形转移
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782428 A
(43)申请公布日
2021.12.10
(21)申请号 20201
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