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本发明公开了一种碲镉汞液相外延生长源衬底，包括衬底本体和络合镀层，络合镀层设于衬底本体上，络合镀层与衬底本体之间设有用于液相外延生长碲镉汞的窗口。还公开了碲镉汞液相外延生长源衬底的制备方法以及基于该衬底的碲镉汞液相外延生长方法。本发明的衬底能够有效解决母液与衬底接触前以及碲镉汞薄膜外延生长过程中，温度场不均匀导致界面上各点的降温以及传动衬底材料导热系数不能很好满足温度控制传导需要等问题；且在该衬底上液相外延生长的碲镉汞具有相当好的厚度均匀性、表面平整性、高的单晶性和较低的半峰宽。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782416 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111070423.7
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 安徽
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