半导体结构及其制作方法、存储器.pdfVIP

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2023-07-04 发布于四川
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半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

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本申请实施例所提供的半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构包括衬底、栅介质层、金属栅极、金属阻挡层、保护层、栅极隔离层，其中，衬底内设置有栅极沟槽；栅介质层位于栅极沟槽的侧壁和底壁上；金属栅极填充于具有栅介质层的栅极沟槽中，且金属栅极的填充厚度小于栅极沟槽的深度；金属阻挡层位于栅介质层与金属栅极之间；保护层覆盖于第一沟槽的侧壁和底壁，该第一沟槽为栅极沟槽在形成栅介质层、金属栅极以及金属阻挡层之后空余的部分；栅极隔离层填充于具有保护层的第一沟槽中。本申请通过上述保护层，可以有效将栅介质层与外界

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782534 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202111078957.4 (22)申请日 2021.09.15 (71)申请人长鑫存储技术有限公司