原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种半导体级硅粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是先将待纯化的硅粉置于感应加热炉内，在真空状态下升温至1000‑1300℃；真空度为4.5‑5.5×10‑6mbar；之后在炉腔中注入高纯H2至700‑900mbar；随后再抽真空至原始真空度；将氯化氢与氩气以流量比7‑9:1.5‑2.5通入腔体内，通气至压力为700‑900mbar，保持4‑6h，之后将炉体内压力降至＜10mbar；本发明有效提高硅粉的纯度，纯化后的硅粉满足生产高纯碳化硅粉料的纯度要求；同时也降低了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113772675 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111337818.9
(22)申请日 2021.11.12
(71)申请人 山西烁科晶体有限公司
文档评论（0）