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本发明属于光电探测器技术领域，公开了二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该二维钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得所述二维钙钛矿薄膜；所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种。在二维钙钛矿薄膜上制备电极，制得光电探测器。该光电探测器的响应时间低于85ms，经过近90次循环光电流衰减不到7.7％，最佳
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793903 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202110981028.8
(22)申请日 2021.08.25
(71)申请人 佛山仙湖实验室
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