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本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法。包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一P型电极、第一N型电极、第一绝缘层、第二P型电极、第二N型电极、第二绝缘层、第三P型电极、第三N型电极、P型焊盘和N型焊盘。该LED芯片通过改进倒装芯片的电极设计，通过增加第三N型电极和第三P型电极，且第三N型电极与P型焊盘在空间上无任何重叠，同理第三P型电极与N型焊盘在空间上也无任何重叠，二者无接触可能，不存在因为任何原因导致氧化硅断裂，而导致极性不同的P、N型电极互连而发生
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793889 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111198536.5
(22)申请日 2021.10.14
(71)申请人 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
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