采用直接源极接触和空穴电流检测的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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采用直接源极接触和空穴电流检测的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：p掺杂源极半导体层，所述p掺杂源极半导体层位于衬底上方；p掺杂带半导体层，所述p掺杂带半导体层位于所述p掺杂源极半导体层上方；导电层和绝缘层的交替叠堆，所述交替叠堆位于所述p掺杂带半导体层上方；以及存储器叠堆结构，所述存储器叠堆结构延伸穿过所述交替叠堆并进入所述p掺杂源极半导体层的上部部分。每个存储器叠堆结构包括p掺杂竖直半导体沟道和横向地包围所述p掺杂竖直半导体沟道的存储器膜。每个p掺杂竖直半导体沟道的顶表面接触相应n掺杂区域的底表面。每

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110785851 A (43)申请公布日 2020.02.11 (21)申请号 20188