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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法,装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板,第一极板设置于沉积炉内,第一极板连接于等离子体源的发射端;第二极板设置于沉积炉内,第二极板与第一极板相对设置,且在沉积炉的第一区域具有重叠部分,第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式,由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体,使等离子的分布更均匀,生长在基底上的石墨烯更加均匀,提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式,使两个极板间产生的辉光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113802107 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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