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- 2023-07-05 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一器件区和第二器件区，基底包括衬底、位于衬底上的一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；形成覆盖沟道叠层的伪栅材料层；形成贯穿第一器件区和第二器件区交界处的伪栅材料层和沟道叠层的介电墙，剩余的伪栅材料层作为伪栅结构；去除伪栅结构和牺牲层，形成栅极开口；在第一器件区和第二器件区中的沟道层的表面形成第一功函数层；去除第二器件区中的第一功函数层；在第二器件区中的沟道层的表面形成第二功函数层。本发明实施例中介电墙使得第一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809011 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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