多沟槽式萧特基二极管.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种多沟槽式萧特基二极管,包含一半导体基层、一背金属层、一外延层、一层间介电层、一第一金属层、一钝化层与一第二金属层。其中,外延层堆叠于半导体基层,包含一终端沟槽结构、一第一沟槽结构、一第二沟槽结构及一第三沟槽结构。层间介电层是在一终端区内堆叠于外延层。第一金属层堆叠于终端沟槽结构与层间介电层,并延伸至第二沟槽结构与第三沟槽结构之间。钝化层堆叠于第一金属层与层间介电层。第二金属层堆叠于第一金属层与钝化层,并延伸至第一沟槽结构处。通过在终端区设置多个沟槽结构,可以有效的分散电场并避免崩溃电压过早发

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809144 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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