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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：栅极结构、双扩散区域、源极区域、漏极区域、第一栅极间隔件以及第二栅极间隔件。栅极结构位于半导体衬底之上。双扩散区域位于半导体衬底中并且横向延伸超过栅极结构的第一侧。源极区域位于半导体衬底中并且与栅极结构的第二侧相邻，第二侧与第一侧相对。漏极区域位于半导体衬底中的双扩散区域中并且具有与双扩散区域相同的导电类型。第一栅极间隔件位于栅极结构的第一侧。第二栅极间隔件沿着第一栅极间隔件的最外侧壁从双扩散区域向上延伸，并且在到达栅极结构的顶表面之前终止

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809177 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010894515.6 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司

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