1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

用于堆叠纳米带2D晶体管的电荷转移间隔体.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.04万字
  • 约 22页
  • 2023-07-05 发布于四川
  • 举报

用于堆叠纳米带2D晶体管的电荷转移间隔体.pdf

    实施例包括二维(2D)半导体片晶体管以及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括2D半导体片的堆叠体，其中，所述2D半导体片中的个体2D半导体片具有第一端和与第一端相对的第二端。在实施例中，第一间隔体在所述2D半导体片的第一端之上，并且第二间隔体在所述2D半导体片的第二端之上。实施例还包括在第一间隔体与第二间隔体之间的栅电极、与所述2D半导体片的第一端相邻的源极接触部和与所述2D半导体片的第二端相邻的漏极接触部。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809168 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202011522427.X H01L 21/34 (2006.01) (22)申请日 2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >