SGT结构的制备方法.pdfVIP

下载本文档

6
0
约1.04万字
约 12页
2023-07-05 发布于四川
举报
版权申诉

SGT结构的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种SGT结构的制备方法，方法包括：提供一半导体结构，包括形成有沟槽的半导体衬底、场氧化层及源极多晶硅；通过第一刻蚀工艺刻蚀源极多晶硅以保留位于沟槽下部的源极多晶硅；通过第二刻蚀工艺刻蚀位于沟槽上部的场氧化层以于沟槽内形成一填充空间；通过第三刻蚀工艺再次刻蚀源极多晶硅；采用氧化工艺氧化处理通过上述步骤所形成的结构以形成牺牲氧化层；去除牺牲氧化层及其下方的场氧化层直至漏出沟槽上部的侧壁；于填充空间内形成栅氧化层；淀积多晶硅并进行回刻，形成栅极多晶硅。通过本发明解决了现有的栅极多晶硅与源极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387160 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310311454.X (22)申请日 2023.03.28 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地