1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用.pdfVIP

  • 18
  • 0
  • 约2.29万字
  • 约 16页
  • 2023-07-05 发布于四川
  • 举报

一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用.pdf

    本发明提供一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用，属于半导体技术领域，所述生长方法包括以下步骤：（1）在第一衬底表面一次外延生长第一氧化镓薄膜；（2）通过表面活化，将所述第一氧化镓薄膜和所述第二衬底键合；其中，所述第一衬底的热导率小于所述第二衬底的热导率；（3）将部分第一氧化镓薄膜剥离，于所述第二衬底的表面得到第二氧化镓薄膜；（4）在所述第二氧化镓薄膜的表面进行二次外延生长，得到第三氧化镓薄膜。本发明通过键合、剥离的层转移法在热导率高的第二衬底上得到了高质量氧化镓薄膜，解决了第一衬底自身热导率差的问题

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116377582 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310619498.9 C30B 30/00 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >