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- 2023-07-05 发布于四川
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该制造显示装置的方法可包括:在衬底上形成多晶硅层的步骤;图案化多晶硅层并且从而形成具有第一厚度的第一区和第二区以及小于第一厚度的第二厚度的第三区的多晶硅图案的步骤;在多晶硅图案上形成栅极绝缘层的步骤;在栅极绝缘层上形成栅电极的步骤;通过将离子注入多晶硅图案的一部分中来形成有源层的步骤;在栅电极上形成绝缘中间层的步骤;形成分别穿过绝缘中间层和栅极绝缘层并且分别与第一区和第二区重叠的源极接触孔和漏极接触孔的步骤;形成分别填充源极接触孔和漏极接触孔的源电极和漏电极的步骤;以及形成与源电极或漏电极电连接
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113812004 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202080035110.5 (74)专利代理机构 北京金宏来专利代理事务所
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