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用于相变存储器的多步电流曲线的技术.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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用于相变存储器的多步电流曲线的技术.pdf

    示例可以包括用于对包括在存储器阵列中的选定存储器单元实现置位写入操作的技术。示例包括选择包含相变材料的存储器单元，并且在成核阶段和晶体生长阶段期间的各种时间段内施加各种电流，以使得存储器单元处于置位逻辑状态。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808641 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202011541443.3 (22)申请日 2020.12.23 (30)优先权数据 16/903,00

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